אינטל צפויה להציג בוועידת אינטל בבייג'ין תחליף אפשרי לזיכרון DRAM

המנהל הטכנולוגי הראשי של אינטל, ג'סטין ראטנר, מתכנן להדגים לראשונה באופן פומבי את טכנולוגיית PRAM) phase-change RAM) של החברה בוועידת Intel Developer Forum, שתיפתח מחר בבייג'ין.



PRAM הוא סוג של זיכרון בלתי נדיף המפותח על ידי אינטל ומספר חברות אחרות. אל שבבי האבטיפוס מתייחסים כתחליף לזיכרון flash, ואולי אף ל-DRAM)dynamic RAM). שלא כמו DRAM, זיכרון בלתי נדיף כמו flash יכול לאחסן נתונים בזיכרון כשהמכשיר כבוי, אך שבבי זיכרון flash כותבים וקוראים נתונים באיטיות רבה יותר מאשר DRAM, הקיבולת שלהם קטנה יותר, והם גם יקרים יותר.



"נראה לנו שיש תקווה לשינוי שלב ואנו צפויים להיכנס לשלב הייצור בחציון השני של השנה", אמר ראטנר.



PRAM מבוסס על זכוכית קלצגונידית, הניתנת לשינוי באמצעות החום המופק על ידי זרם חשמלי. החום משנה את המבנה הפיסי של הזכוכית למצב גבישי או בלתי גבישי. לכל אחד מהמצבים הללו יש התנגדות חשמלית ברורה, המשמשת לייצוג האחד והאפס הדרושים כדי לייצג נתונים מאוחסנים במושגים בינאריים.



זיכרון ה-PRAM צפוי להציע יציבות ומהירות קריאה וכתיבה טובות יותר מזיכרון flash, העובד על ידי לכידת אלקטרונים בתא זיכרון. עם הזמן האלקטרונים לכודים בתאים הללו ולא ניתן להוציא אותם משם, ואי אפשר עוד להשתמש בשבב הזיכרון.



"לא ברור אם אכן ישנו מנגנון בלאי מכיוון שבסך הכול מעבירים את החומר הזה, זכוכית קלצגונידית, בין מצבים שונים" אמר ראטנר. "מטבעו, אין זה תהליך הרסני".



אינטל וחברות אחרות מקוות שה-PRAM יחליף את זכרונות ה-flash מסוגי NOR ו-NAND כדי ליצור את הביקוש הדרוש לייצור שבבי הזיכרון החדשים בכמויות גדולות, ולהוריד את העלויות.



משתמשים בזיכרון flash בטלפונים סלולריים והתקנים ניידים אחרים, אולם אפשר להשתמש בו גם במחשבים. ה-flash מצוי גם בליבה של טכנולוגיית זיכרון ה-flash Robson של אינטל. זיכרון Robson וטכנולוגיות אחרות, כמו כוננים קשיחים היברידיים, משתמשים ב-flash כדי לשפר את ביצועי המערכת. זיכרון Robson וכוננים קשיחים היברידיים מנסים לחזות אילו קבצים יהיו דרושים למשתמש ומעלים אותם לזיכרון החוצץ המבוסס flash, מה שמקטין את מספר הפעמים בהן מידע צריך להיקרא מהכונן הקשיח.



אפשר יהיה להשתמש ב-PRAM גם בדרך הזאת, ואינטל בוחנת האם השבבים יוכלו לקבל תפקיד גדול עוד יותר. "בסופו של דבר נצטרך לענות על השאלה, האם Phase-change memory יוכל להחליף את ה-DRAM? נראה שמאפייני הביצועים קיימים בו", אמר ראטנר.



אפילו אם PRAM יהווה, אכן, תחליף מעשי ל-DRAM, אין זאת אומרת, בהכרח, ש-PRAM יחליף אותו לחלוטין. "האם זו רמה חדשה בהיררכיה? או האם DRAM תעבור לרמה חדשה בהיררכיית זיכרון המטמון וה-Phase-change memory יהיה, למעשה, הזיכרון הראשי כפי שהוא נראה לנו היום?", אמר ראטנר.