חברת טאואר סמיקונדקטור וחברת דונגבו אלקטרוניקס הקוריאנית הודיעו היום כי חתמו על הסכם לפיתוח טכנולוגי משותף של תהליכי ייצור CMOS מתקדמים, שיהיו תואמים לטכנולוגית 0.18 מיקרון ותהליכי mixed-signal המקובלים בתעשייה.
על פי תנאי ההסכם, מתחילת שנת 2002 יציעו הצדדים תהליכי ייצור בגיאומטרית 0.18 מיקרון, התואמים באופן מלא את הטכנולוגיה המקובלת כסטנדרטית בקרב מפעלי הייצור העצמאיים (wafer foundries) יחד עם האיכות והביצועים של טכנולוגית ה-CMOS המתקדמת של טושיבה, לה מורשות שתי החברות. בנוסף על כך, כל אחת משתי החברות תעמיד את מפעל הייצור שלה כגיבוי ליכולת הייצור של רעותה, ובכך ירחיבו החברות את התמיכה המוצעת ללקוחותיהן.
ד"ר יואב ניסן-כהן, המכהן כמנכ"ל משותף בטאואר, אמר כי: "אנו מצפים שבעקבות העבודה המשותפת עם דונגבו יוכלו שתי החברות להציע ללקוחותיהן שירותי ייצור תואמי טכנולוגיה-סטנדרטית בעלי יתרונות איכות ועלות. בסיס הטכנולוגיה המשותף לנו ולדונגבו מאפשר התחלה מיידית של הפיתוח הטכנולוגי וכן את ההזדמנות להציע שירות והתחלת ייצור עוד בטרם השלמת מפעל הייצור החדש של טאואר, Fab 2.
מר סין היוק הן, נשיא ומנכ"ל דונגבו אלקטרוניקס, אמר כי: "אנו מברכים על ההזדמנות לעבוד בשיתוף עם טאואר ובטוחים כי שתי החברות יפיקו יתרונות מהמאמצים המשותפים." היוק הן שיבח את הטכנולוגיה שפיתחה טאואר עבור פלחי שוק בהן בחרה להתמחות, כמו גם את מצוינותה בתחום שירות הלקוחות, והוסיף "תוצאתו של איחוד הכישורים והיכולות של החברות במסגרת הסכם זה תעלה את הערך המוסף לקהל לקוחותינו".
טאואר ודונגבו הקוריאנית חתמו על הסכם לפיתוח טכנולוגי של תהליכי ייצור CMOS מתקדמים
אילן מוסנאים
10.10.2001 / 10:00