>> בשבוע שעבר הכריזה חברת hp כי תחל בפיתוח שבבי זיכרון חדשים בשיתוף פעולה עם הייניקס (hynix), יצרנית השבבים הדרום קוריאנית. הסכמתה של הייניקס לבנות זיכרונות למחשבים תוך שימוש ברכיבים אלקטרוניים המכונים memristors שפיתחו מדעני hp, תוביל לכך שניתן יהיה לאחסן יותר נתונים מאשר בשבבים קטנים מהקיימים היום.
שתי החברות אמרו כי שבבים המבוססים על רכיבים אלה יהיו זמינים בשוק בעוד כשלוש שנים. עד עתה, היישום הסביר ביותר של רכיבים אלו הוא בבניית שבבי אחסון מידע דוגמת שבבי פלאש המשמשים לאחסון של נתונים במצלמות ומחשבים אישיים. אין זה מופרך, עם זאת, לחשוב שהטכנולוגיה תשולב בעתיד גם בסוגי שבבים אחרים, כולל מיקרו-מעבדים.
פיתוח השבבים המבוססים על רכיב ה-memristor סוגר מעגל היסטורי שהחל בראשית שנות ה-70, אז הציע לאון או. צ'ואה, פרופסור להנדסת אלקטרוניקה באוניברסיטת ברקלי את ה-memristor כרכיב אלקטרוני בסיסי במעגלים מודפסים לצד נגדים, קבלים וסלילי השראה. התגלית הראשונית נעשתה בידי ג'ון יאו, חוקר באוניברסיטת רייס, שאמר שנתקל במתגים הללו בטעות.
ה-memristor, או נגד זיכרון, הוצע כאלטרנטיבה פשוטה לטרנזיסטורים. הרעיון דעך במשך השנים, עד שצוות חוקרים של hp מצא דרך להשתמש בו ב-2006. מאז, נגדי זיכרון משכו תשומת לב עסקית, אקדמית וצבאית, מאחר שמדובר במתגים השומרים מידע ללא צורך באנרגיה. עם זאת, עד עתה הם לא יצאו משלב המעבדה. הטכניקה החדשה כוללת סיבים ברוחב 5 ננומטרים - רוחב דק יותר ממה שהתעשייה מקווה להשיג בטכניקות הסטנדרטיות עד סוף העשור.
תחרות בעסקי הזיכרון לא תהיה קרב שקל לנצח בו. נגדי זיכרון הם עדיין מוצרי מעבדה בעיני רוב חברות המוליכים למחצה, שבחרו בטכנולוגיה מתחרה, הידועה כזיכרון pcm. עם זאת, מדעני hp אמרו כי הם דנו בנושא עם כל יצרני השבבים המובילים בעולם לפני שהגיעו להסכם הפיתוח המסחרי עם הייניקס, יצרנית שבבי הזיכרון השנייה בגודלה אחרי סמסונג.
"כיום נגדי הזיכרון מציגים ביצועים טובים יותר מזיכרון הפלאש", אמר סטאן ויליאמס, מדען במעבדות hp שהוביל את הפיתוח. ויליאמס ציין כי המתגים הזעירים יוכלו להידלק ולהיכבות במהירות גבוהה מזו של זיכרון הפלאש ביותר מפי 100, תוך שימוש בעשירית האנרגיה ושמירה על אורך חיים ממושך. צפיפויות האחסון מדהימות כבר היום, ויהפכו למרשימות עוד יותר בעתיד.
בשנה הבאה שבבי הפלאש המתקדמים ביותר יציגו נפח אחסון של כ-64 מיליארד ביט לסנטימטר רבוע, על פי מפת הדרכים השנתית של התעשייה. עד 2014, נפח זה צפוי לגדול עד כדי 170 מיליארד ביט לסנטימטר רבוע.
1,000 שכבות
מדענים באוניברסיטת רייס אמרו כי מכשירי אחסון בטכנולוגיית נגדי זיכרון יוכלו להיות צפופים פי חמישה מסטנדרט התעשייה ב-2014, וכי הטכנולוגיה תתאים יותר בקלות לאריזה תלת-ממדית.
חוקרי hp תיארו דרך שבה ניתן יהיה ליצור שבבים מבוססי נגדי זיכרון בעלי 1,000 שכבות, אף שהם מודים שעם טכניקות הייצור הנוכחיות, מכשירים כאלה לא יהיו פרקטיים. בהתפתחות נוספת במזעור שבבי זיכרון, מדענים מאוניברסיטת רייס דיווחו כי הצליחו לבנות מתגים דיגיטליים קטנים ואמינים, שיכולים להתכווץ יותר מהאפשרי בשימוש בשיטות הקונבנציונליות.
חשובה יותר היא העובדה שההתקדמות הזו מבוססת על תחמוצת הסיליקון, אחת מאבני הבניין של תעשיית השבבים, ולכן המעבר למסחור יהיה קל יחסית. המדענים אמרו כי privatran, סטארט-אפ מטקסס, כבר יצר שבבים בטכניקה החדשה.
השבבים הניסיוניים יכולים לאחסן רק 1,000 ביט של מידע, אבל אם הטכנולוגיה החדשה תמלא את הפוטנציאל שממציאיה רואים בה, שבבים בודדים שמאחסנים כמויות מידע כמו הדיסקים הגדולים ביותר כיום יוכלו להיות אפשריים בתוך חמש שנים.
בחזרה לעבר: פיתוח משנות ה-70 יסייע להגדיל פי 5 את נפח הזיכרון בשבבים
ניו יורק טיימס
5.9.2010 / 7:03