יצרנית השבבים הגדולה בעולם, אינטל, הודיעה כי בשנה הבאה תשיק טכנולוגיית ייצור שבבים של 65 ננו-מטר לעומת 90 ננו-מטר שהושקה רק לפני שנה. הטכנולוגיה מאפשרת לייצר שבבי זיכרון מסוג SRAM, עליהם חצי מיליארד טרנזיסטורים. בשבוע שעבר, בראיון ל"הארץ", אמר המדען הראשי של אינטל, פט גלסינגר, שאינטל תמשיך בחוק מור עד לרמת ייצור בטכנולוגיה של 2 ננו-מטר בעוד כ-15-20 שנה.
חוק מור, שקבע מייסד אינטל גורדון מור לפני שלושים שנה, טוען כי כל 18-24 חודש מספר הטרנזיסטורים על שבב מכפיל את עצמו, תהליך המחייב מעבר לטכנולוגיות ייצור זעירות יותר.
ההודעה מחזקת את מעמדה של אינטל מול AMD, שרק לאחרונה החלה בייצור שבבים בטכנולוגיית 90 ננו-מטר. המוניטין של אינטל נפגע בשנה האחרונה בגלל עיכובים ובעיות בפיתוח וייצור של שבבים מתוכננים. המעבר לייצור ב-65 ננו-מטר צפוי להשפיע גם על ישראל. מפעל הייצור של אינטל בקריית גת צפוי לייצר שבבי זיכרון בטכנולוגיה זו, כחלק מתהליך השדרוג של שני דורות - מ-130 ננו-מטר ל-90 ננו-מטר. עם זאת, ישראל מתחרה מול ארצות הברית ואירלנד על הקמת מפעל חדש לייצור בטכנולוגיה של 65 ננו-מטר, כפי שמתכננת אינטל בשנה הבאה, או בטכנולוגיית הייצור הצפויה ב-2007 - של 45 ננו-מטר. עלות כל מפעל חדש נאמדת ב-2-3 מיליארד דולר.
"זה מוכיח שעדיין לא פג תוקפו של חוק מור", אמר מרק בוהר, מנהל ארכיטקטורת תהליך ואינטגרציה באינטל. אינטל ייצרה שבב זיכרון שעליו מותקנים יותר מחצי מיליארד טרנזיסטורים באמצעות תהליך הייצור החדש,.
אינטל הודיעה שהתהליך פותח כדי לצמצם את צריכת החשמל ואת הפקת החום, והוא כולל שימוש בטרנזיסטורים המנתקים את החשמל לחלקי שבבים שאינם נמצאים בשימוש.
אינטל נצמדת לחוק מור: תתחיל לייצר שבבים בטכנולוגיה של 65 ננו-מטר ב-2005
עודד חרמוני
31.8.2004 / 8:48